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       申请号：201410666277.8
       摘要：本发明是一种碳化硅冶炼方法，其步骤如下：对已选择的将作为晶种的碳化硅进行如下处理：破碎处理筛分处理，选取粒径达到3~8毫米的碳化硅采用酸洗方法进行提纯处理，然后用纯水进行冲洗；以石墨电极为中心，在0~10cm内放置6H碳化硅晶种0.1%~5%，在10cm~25cm范围内放置6H碳化硅晶种0.3%~8%，在25cm~40cm范围内放置4H碳化硅晶种1%~10%。本发明方法设计合理，可操作性强。通过在碳化硅冶炼中添加晶种有效地提高碳化硅生长效率，有效地控制碳化硅晶型，降低能耗。
       申请人： 江苏乐园新材料集团有限公司
       地址： 222000 江苏省连云港市新浦区浦南镇太平村太平路1号(永兴化纤公司前面)
       发明(设计)人： 朱立起 胡顺武 顾小方 李佩健
       主分类号： C01B31/36(2006.01)I
       分类号： C01B31/36(2006.01)I
       主权项：  一种碳化硅冶炼方法，其特征在于，其步骤如下：（1）SiC晶种处理：根据碳化硅晶型不同选择不同晶型的碳化硅作为晶种，对已选择的将作为晶种的碳化硅进行如下处理：先对碳化硅进行破碎处理筛分处理，选取粒径达到3~8毫米的碳化硅进行提纯处理，提纯采用酸洗方法，然后用纯水进行冲洗至pH值在6.5~7.5，烘干；（2）碳化硅晶种的添加：碳化硅晶种的添加位置以及添加量如下：以石墨电极为中心，在0~10cm内放置6H碳化硅晶种，添加的晶种占混料质量百分比的0.1%~5%，在10cm~25cm范围内放置6H碳化硅晶种，添加的晶种占混料质量百分比的0.3%~8%，在25cm~40cm范围内放置4H碳化硅晶种，添加的晶种占混料质量百分比的1%~10%。
       公开号：  104477917A
       公开日：  2015-04-01